个人简介：

张安平，1993年获清华大学学士学位，2001年获美国佛罗里达大学博士学位。曾任美国EMCORE公司研究工程师，2001年5月起在美国通用电气公司全球研究中心担任宽禁带功率器件项目的技术负责人。2012年回国全职担任西安交通大学半导体能源转换器件研究中心主任。1996年起从事GaN和SiC功率器件的研究，积累了丰富的研究和产业化的经验。发表一百多篇学术论文，拥有美国和国际专利35项。在西安交通大学建立了完整的GaN和SiC功率器件研究条件，研制的200-650V GaN HEMT器件以及1.2-10 kV SiC MOSFET器件性能达到了国际先进水平。